SI6981DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI6981DQ-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 900mV @ 300µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-TSSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Leistung - max | 830mW |
Verpackung / Gehäuse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.1A |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI6981 |
SI6981DQ-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI6981DQ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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